Dr. Rutger Wijburg, Vorstandsmitglied und Chief Operations Officer (COO) der Infineon Technologies AG, wird zum Ende des Geschäftsjahres am 30. September 2025 auf eigenen Wunsch sein Mandat niederlegen und in den Ruhestand wechseln.

Der Aufsichtsrat hat zum 1. Oktober 2025 Alexander Gorski als Nachfolger bestellt. Alexander Gorski ist derzeit Executive Vice President und Head of Frontend Operations bei Infineon und wird als COO unter anderem für Fertigung, Einkauf, Supply Chain sowie Qualitätsmanagement verantwortlich sein. Sein Vorstandsmandat läuft, wie bei Erstbestellungen üblich, zunächst für drei Jahre.

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Infineon hat die abschließende Bestätigung des Bundeswirtschaftsministeriums für die Förderung seines neuen Werks in Dresden (Smart Power Fab) erhalten.

Mit der Erweiterung des Standortes wird Infineon die Kundennachfrage beispielsweise nach erneuerbaren Energien, effizienten Rechenzentren und Elektromobilität bedienen. Infineon selbst investiert fünf Milliarden Euro und schafft dadurch bis zu 1.000 neue Arbeitsplätze, wobei darin die zusätzlich im Umfeld der Investition entstehenden Jobs noch nicht berücksichtigt sind. Experten gehen von einem positiven Jobeffekt von 1:6 aus (Quelle: ZVEI-Studie). Darüber hinaus investiert Infineon in Dresden auch über seine Beteiligung am Joint Venture „European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC) GmbH“.

„Die abschließende Bestätigung zur Förderung unserer Smart Power Fab ist ein wichtiger Meilenstein für uns als Unternehmen und ein starkes Signal für das europäische Halbleiterökosystem“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon. „Wir danken der Bundesregierung, dem Freistaat Sachsen und der Europäischen Union für die Unterstützung. Mit den in Dresden gefertigten Halbleitern tragen wir dazu bei, die Wertschöpfungsketten europäischer Schlüssel­industrien künftig noch robuster zu gestalten.“

Mit der Smart Power Fab trägt Infineon dazu bei, die europäischen Lieferketten im Bereich der Mikroelektronik zu stärken und festigt zudem die Position von Dresden und Silicon Saxony als größten Halbleiter-Hub Europas. Bereits am 20. Februar hatte die Europäische Kommission die Genehmigung für die Förderung durch die Bundesregierung erteilt. Die Smart Power Fab wird sowohl im Rahmen des European Chips Acts als auch des Innovationsprogramms IPCEI ME/CT („Important Project of Common European Interest on Microelectronics and Communication Technologies“) gefördert. Die Gesamtförderung für den Standort Dresden beträgt rund eine Milliarde Euro.

Der Bau der Smart Power Fab geht planmäßig voran. Der Rohbau ist inzwischen nahezu abgeschlossen. Anfang April feierte Infineon ein Richtfest gemeinsam mit allen Beteiligten der Baustelle. Die Produktion soll 2026 starten.

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Die Infineon Technologies AG erweitert ihre TRENCHSTOP IGBT7-Produktfamilie der siebten Generation um die CIPOS Maxi intelligenten Leistungsmodule (IPMs) für Motorantriebe mit geringer Leistung.

Die Bauteile der neuen IM12BxxxC1-Serie basieren auf der TRENCHSTOP IGBT7 1200 V-Technologie und verfügen über eine schnelle EmCon 7 Diode. Dank des neuesten Micro-Pattern-Trench-Designs bietet er hervorragende Kontrolle und Leistung. Das führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst drei neue Produkte in Varianten von 10 A bis 20 A für Nennleistungen bis zu 4,0 kW: IM12B10CC1, IM12B15CC1 und IM12B20EC1.

Die IPMs sind in einem DIP 36x23D Gehäuse untergebracht. Dieses integriert verschiedene Leistungs- und Steuerungskomponenten, um die Zuverlässigkeit zu erhöhen, die Leiterplattengröße zu optimieren und die Systemkosten zu senken. Damit ist es das kleinste Gehäuse für 1200 V IPMs mit der höchsten Leistungsdichte und der besten Leistung in seiner Klasse. Die IM12BxxxC1-Serie eignet sich besonders für Antriebe mit geringer Leistung in Anwendungen wie Motoren, Pumpen, Ventilatoren, Wärmepumpen und Außenlüftern für Heizungen, Lüftungen und Klimaanlagen.

Die neue IPM-Serie bietet ein isoliertes, zweireihiges und vollständig vergossenes Gehäuse für hervorragende Wärmeabfuhr und Isolation zum Kühlkörper. Außerdem erfüllt sie die EMI- und Überlastschutzanforderungen für anspruchsvolle Designs. Als weitere Schutzfunktion sind die IPMs mit einem unabhängigen, UL-zertifizierten Temperaturthermistor ausgestattet. CIPOS Maxi beinhaltet einen robusten SOI-Gate-Treiber mit sechs Kanälen und integrierter Totzeit, um Schäden durch Transienten zu vermeiden. Er verfügt über einen Unterspannungsschutz an allen Kanälen und eine Überstromabschaltung. Mit seinem Multifunktions-Pin ermöglicht das IPM eine hohe Designflexibilität für verschiedene Zwecke. Die Emitter-Pins der Low-Side sind für die Überwachung des Phasenstroms zugänglich, wodurch der Antrieb leicht zu steuern ist.

Die drei Varianten des CIPOS Maxi IM12BxxxC1-Portfolios sind ab sofort verfügbar.

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